Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση. Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.
BYG21M M2G
Αριθμός μέρους κατασκευαστή
BYG21M M2G
Κατασκευαστής
TSC (Taiwan Semiconductor)
Λεπτομερής περιγραφή
DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC
Πακέτο
DO-214AC (SMA)
Σε απόθεμα
1520255 pcs
Φύλλο δεδομένων
BYG21M(H)
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς TSC (Taiwan Semiconductor).Έχουμε τα 1520255 κομμάτια του TSC (Taiwan Semiconductor) BYG21M M2G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν
1.6V @ 1.5A
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
DO-214AC (SMA)
Ταχύτητα
Fast Recovery = 200mA (Io)
Σειρά
-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR)
120ns
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση
DO-214AC, SMA
Αλλα ονόματα
BYG21M M2G-ND
BYG21MM2G
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση
-55°C ~ 150°C
Χαρακτηριστικό προϊόντος
Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος
Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time
17 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Diode Τύπος
Avalanche
Λεπτομερής περιγραφή
Diode Avalanche 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr
1µA @ 1000V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io)
1.5A
Χωρητικότητα @ VR, F
13pF @ 4V, 1MHz
Συνιστώμενα προϊόντα
BYG21M
DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M/54
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21KHM3/TR3
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHM3_A/I
DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21M-E3/TR
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21KHM3/TR
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR3
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21KHE3_A/I
DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21M-M3/TR
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21MH
DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21KHE3_A/H
DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21MHE3_A/H
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21M R3G
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21KHE3/TR
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21KHE3/TR3
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR3
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21K-M3/TR3
DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21KHM3_A/H
DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG21MHE3/TR3
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHE3/TR
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M M2G Φύλλο δεδομένων PDF
Φύλλο δεδομένων
Αναζήτηση αρχείου δελτίου δεδομένων